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  • 캡슐화: TO-220
  • 상표: Fairchil
  • 날짜 코드: 05+
  • 채널 유형 : N
  • 최대 연속 드레인 전류 : 32 A
  • 최대 드레인 소스 전압 : 60 V
  • 최대 드레인 소스 저항 : 45 mΩ
  • 최소 게이트 임계 전압 : 1V
  • 최대 게이트 소스 전압 : -20 V, +20 V
  • 포장 종류: TO-220
  • 실장 형 : Through Hole
  • 핀 수 : 3
  • 트랜지스터 구성 : Single
  • 채널 모드 : Enhancement
  • 범주: Power MOSFET
  • 최대 전력 발산 : 79 W
  • Vgs에서 일반적인 게이트 충전 : 15 nC @ 5 V
  • 일반적인 턴 - 오프 지연 시간 : 60 ns
  • 최소 작동 온도 : -55 °C
  • 폭: 4.7mm
  • 일반적인 턴 - 온 지연 시간 : 15 ns
  • 칩 당 요소 수 : 1
  • 일반 입력 커패시턴스 @ Vds : 800 pF@ 25 V
  • 최대 작동 온도 : +175 °C
  • 시리즈: QFET
  • 신장: 16.3mm
  • 트랜지스터 재질 : Si
  • 길이: 10.67mm
  • 치수: 10.67 x 4.7 x 16.3mm
  • ≥1: US $0.59606 US $0.53646
  • ≥10: US $0.49672 US $0.44705
  • ≥100: US $0.47188 US $0.42470

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데이터매뉴얼

QFET? N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor’s new QFET? planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control. They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET? process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

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